ON Semiconductor 1N6003B

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~200°C

包装

Bulk

已出版

2010

容差

±5%

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

500mW

电压 - 额定直流

13V

最大功率耗散

500mW

终端形式

WIRE

基本部件号

1N6003

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

25Ohm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 9.9V

功率耗散

500mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 200mA

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

100nA

阻抗-最大

25Ohm

测试电流

5mA

参考电压

13V

齐纳电压

13V

最大电压允差

5%

电压允差

5%

齐纳电流

38mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅