ON Semiconductor 1N6006B

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

表面安装

NO

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

0.5W

操作温度

-65°C~200°C

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

终端形式

WIRE

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

1N6006

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 14V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2V @ 200mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500mW

阻抗-最大

42Ohm

参考电压

18V

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

18V

最大电压允差

5%

工作测试电流

5mA

动态阻抗-最大值

42Ohm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant