ON Semiconductor 1N6381G

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-201AD, Axial

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

52.9V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

5W

Reverse Stand-off Voltage

45V

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Bulk

系列

Mosorb™

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

Axial

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin (Sn)

应用

通用型

附加功能

EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, LOW IMPEDANCE

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

1N6381

引脚数量

2

工作电源电压

45V

极性

单向

配置

SINGLE

泄漏电流

2μA

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

功率 - 脉冲峰值

1500W 1.5kW

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

78.9V

箝位电压

70V

峰值脉冲电流

10A

最大浪涌电流

10A

峰值脉冲功率

1.5kW

测试电流

1mA

反向击穿电压

52.9V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅