ON Semiconductor 1N756A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35

质量

4.535924g

操作温度

-65°C~200°C

包装

Bulk

已出版

2000

容差

±5%

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

200°C

最小工作温度

-65°C

额定功率

400mW

电压 - 额定直流

8.2V

最大功率耗散

500mW

基本部件号

1N756

阻抗

8Ohm

元素配置

Single

反向泄漏电流@ Vr

100nA @ 1V

功率耗散

500mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5V @ 200mA

功率 - 最大

500mW

最大反向漏电电流

100nA

阻抗-最大

8Ohms

测试电流

20mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

8.2V

齐纳电压

8.2V

电压允差

5%

齐纳电流

45mA

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅