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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.001441
10
¥7.54853
100
¥7.121256
500
¥6.718167
1000
¥6.337886
ON Semiconductor 1PMT5921BT1G
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- 对比
1PMT5921BT1G
1807-1PMT5921BT1G
二极管 - 齐纳 - 单
DO-216AA
大陆
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ON SEMICONDUCTOR 1PMT5921BT1G Zener Single Diode, General Purpose, 6.8 V, 3.2 W, DO-216AA, 2 Pins, 150 C
--最小包装量--
¥
总价: ¥
1PMT5921BT1G详情
ON Semiconductor 1PMT5921BT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
安装类型
表面贴装
表面安装
YES
包装/外壳
DO-216AA
引脚数
2
材料
Plastic
Power Dissipation (Max)
3.2W
Number of Elements
1
操作温度
-55°C~150°C
已出版
2007
包装
Tape & Reel (TR)
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
3.2W
电压 - 额定直流
6.8V
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
1PMT5921
JESD-30代码
S-PSSO-G1
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
2.5Ohm
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
5μA @ 5.2V
功率耗散
500mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.25V @ 200mA
箱体转运
CATHODE
最大反向漏电电流
5μA
阻抗-最大
2.5Ohm
无卤素
无卤素
测试电流
55.1mA
参考电压
6.8V
齐纳电压
6.8V
最大电压允差
5%
电压允差
5%
齐纳电流
200mA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
达到SVHC
无SVHC
无铅
无铅
1PMT5921BT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








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