ON Semiconductor 1PMT5935BT1G

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-216AA

表面安装

YES

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

3.2W

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

容差

±5%

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

1

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.10.00.50

额定功率

3.2W

电压 - 额定直流

6.2V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

1PMT5935

JESD-30代码

S-PSSO-G1

工作电压

27V

极性

UNIDIRECTIONAL

阻抗

23Ohm

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

1μA @ 20.6V

功率耗散

500mW

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.25V @ 200mA

箱体转运

CATHODE

最大反向漏电电流

1μA

阻抗-最大

23Ohm

无卤素

无卤素

测试电流

13.9mA

参考电压

27V

正向电压

1.5V

齐纳电压

27V

最大电压允差

5%

峰值反向电流

500nA

电压允差

5%

ESD保护

有

高度

1.15mm

长度

2.18mm

宽度

2.05mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅