ON Semiconductor 2N3819

生命周期状态

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底架

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Breakdown Voltage / V

25V

Voltage Rated

25V

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

25V

额定电流

100mA

最大功率耗散

350mW

额定电流

50mA

基本部件号

2N3819

元素配置

Single

功率耗散

350mW

漏源电压 (Vdss)

15V

晶体管类型

N-Channel JFET

连续放电电流(ID)

20mA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

25V

输入电容

8pF

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅