ON Semiconductor MMBFJ309LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

质量

1.437803g

Breakdown Voltage / V

-25V

Number of Elements

1

Usage Level

Military grade

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-25V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

30mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

MMBFJ309

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

225mW

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

漏源电压 (Vdss)

25V

晶体管类型

N-Channel JFET

连续放电电流(ID)

10mA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

输入电容

5pF

场效应管技术

JUNCTION

最高频段

超高频B型

高度

1.016mm

长度

3.0226mm

宽度

1.397mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅