ON Semiconductor 2N5401RA
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2N5401RA
1807-2N5401RA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
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大陆
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2N5401RA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at utmel
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2N5401RA详情
ON Semiconductor 2N5401RA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
hFEMin
30
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
625 mW
极性
PNP
元素配置
Single
增益带宽积
400 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
150 V
最大集电极电流
600 mA
集电极基极电压(VCBO)
160 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
2N5401RA拓展信息
ON Semiconductor
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