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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列 2N5401RA
2N5401RA
2N5401RA

注：图像仅供参考，请参阅产品规格

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ON Semiconductor 2N5401RA

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型号

2N5401RA

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2N5401RA

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2N5401RA datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays product details from ON Semiconductor stock available at utmel

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2N5401RA
2N5401RA ON Semiconductor

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2N5401RA详情

技术参数

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ON Semiconductor 2N5401RA重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • hFEMin

    30

  • RoHS

    Non-Compliant

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 最大功率耗散

    625 mW

  • 极性

    PNP

  • 元素配置

    Single

  • 增益带宽积

    400 MHz

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    150 V

  • 最大集电极电流

    600 mA

  • 集电极基极电压(VCBO)

    160 V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor 2N5401RA.

2N5401RA拓展信息

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ISO13485
AS
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选择时请仔细核对商品参数信息

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