ON Semiconductor 2N5485

底架

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

201mg

Breakdown Voltage / V

25V

Number of Elements

1

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

25V

最大功率耗散

350mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

10mA

频率

400MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

2N5485

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

25V

晶体管类型

N-Channel JFET

连续放电电流(ID)

10mA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

输入电容

5pF

场效应管技术

JUNCTION

噪声图

4dB

电压-测试

15V

反馈上限-最大值 (Crss)

1 pF

功率增益-最小值(Gp)

10dB

高度

5.33mm

长度

5.2mm

宽度

4.19mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅