2N5656
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ON Semiconductor 2N5656

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型号

2N5656

utmel 编号

1807-2N5656

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

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2N5656
2N5656 ON Semiconductor 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126

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2N5656详情

ON Semiconductor 2N5656重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    10 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N5656

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    摩托罗拉半导体产品

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    MOTOROLA INC

  • Risk Rank

    8.09

  • JESD-609代码

    e0

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    NPN

  • JEDEC-95代码

    TO-225AA

  • 最大耗散功率(Abs)

    20 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.5 A

  • 最小直流增益(hFE)

    5

  • 集电极-发射器电压-最大值

    300 V

  • VCEsat-最大值

    10 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    25 pF

  • 环境耗散-最大值

    20 W

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2N5656拓展信息

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