2N60L-TF3-T
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ON Semiconductor 2N60L-TF3-T

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型号

2N60L-TF3-T

utmel 编号

1807-2N60L-TF3-T

商品类别

集成电路(IC)

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

2N60L-TF3-T datasheet pdf and Integrated Circuits (ICs) product details from ON Semiconductor stock available at utmel

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2N60L-TF3-T详情

ON Semiconductor 2N60L-TF3-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Manufacturer Part Number

    2N60L-TF3-T

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Risk Rank

    5.56

  • Drain Current-Max (ID)

    2 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Turn-off Time-Max (toff)

    180 ns

  • Turn-on Time-Max (ton)

    115 ns

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    2 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    5 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    8 A

  • DS 击穿电压-最小值

    600 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    140 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    23 W

  • 反馈上限-最大值 (Crss)

    13 pF

0个相似型号

2N60L-TF3-T拓展信息

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