ON Semiconductor 2N6668G

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

1000

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

221A-09

Reflow Temperature-Max (s)

40

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

2N6668G

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-220AB

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

安森美半导体

极性

PNP

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

元素配置

Single

功率耗散

65 W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

10 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

2 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

10 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

10 A

集电极-发射器电压-最大值

80 V

无铅

无铅