2N7000TA
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ON Semiconductor 2N7000TA

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型号

2N7000TA

utmel 编号

1807-2N7000TA

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92

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2N7000TA ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92

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2N7000TA详情

ON Semiconductor 2N7000TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    9 Weeks

  • 触点镀层

    Copper, Silver, Tin

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

  • 引脚数

    3

  • 制造商包装标识符

    TO-92 3L

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    200mA Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    400mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    10 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Box (TB)

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    5Ohm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 电压 - 额定直流

    60V

  • 额定电流

    200mA

  • 基本部件号

    2N7000

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    400mW

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 25V

  • 上升时间

    10ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    10 ns

  • 连续放电电流(ID)

    200mA

  • 阈值电压

    3.9V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.2A

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 高度

    5.33mm

  • 长度

    5.2mm

  • 宽度

    4.19mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 2N7000TA相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation
    Power Dissipation-Max
    Element Configuration
    查看对比:
  • 2N7000TA

    2N7000TA

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

    200 mA

    200mA (Tc)

    30 V

    400 mW

    400mW (Ta)

    Single

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