ON Semiconductor 2N7000TA
- 收藏
- 对比
2N7000TA
1807-2N7000TA
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
--最小包装量--
2N7000TA详情
ON Semiconductor 2N7000TA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
9 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
制造商包装标识符
TO-92 3L
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
400mW Ta
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
5Ohm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
60V
额定电流
200mA
基本部件号
2N7000
元素配置
Single
功率耗散
400mW
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
200mA
阈值电压
3.9V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
漏源击穿电压
60V
高度
5.33mm
长度
5.2mm
宽度
4.19mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N7000TA拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。