ON Semiconductor 2SJ635-TL-E

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

安装类型

通孔

供应商器件包装

TP

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Product Status

Obsolete

Power Dissipation (Max)

1W (Ta), 30W (Tc)

厂商

onsemi

操作温度

150°C

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

60mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2200 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-