ON Semiconductor 2SJ650

工厂交货时间

1 Week

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220ML

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12A (Ta)

厂商

onsemi

Power Dissipation (Max)

2W (Ta), 20W (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2SJ650

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

生命周期结束

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.35

Drain Current-Max (ID)

12 A

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

HTS代码

8541.29.00.95

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

135mOhm @ 6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1020 pF @ 20 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.205 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-