ON Semiconductor 2SK3746

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta 110W Tc

Turn Off Delay Time

152 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tray

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

端子表面处理

Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13 Ω @ 1A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

380pF @ 30V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37.5nC @ 10V

上升时间

37ns

漏源电压 (Vdss)

1500V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

59 ns

连续放电电流(ID)

2A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2A

漏源击穿电压

1.5kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

4A

双电源电压

1.5kV

雪崩能量等级（Eas）

42 mJ

栅源电压

3.5 V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准