2SK4123LS
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ON Semiconductor 2SK4123LS

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型号

2SK4123LS

utmel 编号

1807-2SK4123LS

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 18 A, 450 V, 0.34 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220FI(LS), 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK4123LS ON Semiconductor TRANSISTOR 18 A, 450 V, 0.34 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220FI(LS), 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK4123LS详情

ON Semiconductor 2SK4123LS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SK4123LS

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.39

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    18 A

  • 端子表面处理

    Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    2 W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    450 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    18 A

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.34 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    66 A

  • DS 击穿电压-最小值

    450 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    412 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: ON Semiconductor 2SK4123LS.

2SK4123LS拓展信息

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