ON Semiconductor 2V7002WT1G
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2V7002WT1G
1807-2V7002WT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-70, SOT-323
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MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
--最小包装量--
2V7002WT1G详情
ON Semiconductor 2V7002WT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
310mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
280mW Tj
Turn Off Delay Time
55.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
280mW
接通延迟时间
12.2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
24.5pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.7nC @ 4.5V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
29 ns
连续放电电流(ID)
310mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
60V
高度
900μm
长度
2.2mm
宽度
1.35mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2V7002WT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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