3LP01M-TL-H
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ON Semiconductor 3LP01M-TL-H

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型号

3LP01M-TL-H

utmel 编号

1807-3LP01M-TL-H

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin MCP T/R

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3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H ON Semiconductor Trans MOSFET P-CH 30V 0.1A 3-Pin MCP T/R

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3LP01M-TL-H详情

ON Semiconductor 3LP01M-TL-H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 11 hours ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 引脚数

    3

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    100mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V 4V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    150mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    120 ns

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2000

  • JESD-609代码

    e6

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    150mW

  • 接通延迟时间

    24 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10.4 Ω @ 50mA, 4V

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    7.5pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    1.43nC @ 10V

  • 上升时间

    55ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • Vgs(最大值)

    ±10V

  • 下降时间(典型值)

    130 ns

  • 连续放电电流(ID)

    100mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    10V

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor 3LP01M-TL-H.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 3LP01M-TL-H相似的参数规格。

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