ON Semiconductor 4N29TVM

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

6

质量

864.008416mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 10mA

Power Dissipation (Max)

250mW

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

基本部件号

4N29

电压-隔离度

4170Vrms

输出电压

30V

输出类型

带底座的达林顿

通道数量

1

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

80mA

每个通道的输出电流

150mA

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

150mA

反向击穿电压

3V

最大输入电流

80mA

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 40μs (Max)

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准