ON Semiconductor MOCD213R2M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

252mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 10mA

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

5.7 μs

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

UL认证

最大功率耗散

250mW

电压-隔离度

2500Vrms

输出电压

120V

输出类型

Transistor

功率耗散

240mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.25V

输入类型

DC

接通延迟时间

7.5 μs

正向电流

60mA

最大输出电压

70V

每个通道的输出电流

150mA

上升时间

1.6μs

下降时间（典型值）

2.2 μs

集电极发射器电压(VCEO)

70V

最大集电极电流

150mA

上升/下降时间(Typ)

1.6μs 2.2μs

反向击穿电压

6V

反向电压

6V

正向电压-最大值

1.55V

最大输入电流

60mA

输入电流

60mA

通态电流最大值

0.15A

接通 / 关断时间（典型值）

3μs, 2.8μs

最大结点温度（Tj）

125°C

环境温度范围高

100°C

电流传输比

100%

暗电流（最大）

50nA

高度

3.63mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅