ON Semiconductor 5HN01SS-TL-E
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5HN01SS-TL-E
1807-5HN01SS-TL-E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-SMD, Flat Lead
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MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3
1最小包装量--
5HN01SS-TL-E详情
ON Semiconductor 5HN01SS-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Flat Lead
引脚数
3
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
105 ns
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e6
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
端子位置
DUAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
50V
极性/通道类型
N-CHANNEL
下降时间(典型值)
75 ns
连续放电电流(ID)
100mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.1A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.15W
漏源电阻
5.8Ohm
环境耗散-最大值
0.15W
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
5HN01SS-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
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