5HN01SS-TL-E
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ON Semiconductor 5HN01SS-TL-E

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型号

5HN01SS-TL-E

utmel 编号

1807-5HN01SS-TL-E

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

3-SMD, Flat Lead

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3

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5HN01SS-TL-E
5HN01SS-TL-E ON Semiconductor MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3

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5HN01SS-TL-E详情

ON Semiconductor 5HN01SS-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    3-SMD, Flat Lead

  • 引脚数

    3

  • Number of Elements

    1

  • Turn Off Delay Time

    105 ns

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e6

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 端子位置

    DUAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    10 ns

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 上升时间

    11ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    50V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 下降时间(典型值)

    75 ns

  • 连续放电电流(ID)

    100mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.1A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.15W

  • 漏源电阻

    5.8Ohm

  • 环境耗散-最大值

    0.15W

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor 5HN01SS-TL-E.

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右边的3个型号有着和ON Semiconductor & 5HN01SS-TL-E相似的参数规格。

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5HN01SS-TL-E拓展信息

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