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'5ln02c'
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | ECCN 代码 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 5LN02C | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 3 | SILICON | 5LN02C | Obsolete | SANYO ELECTRIC CO LTD | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 5.84 | 0.2 A | 1 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | EAR99 | 8541.21.00.95 | DUAL | 鸥翼 | unknown | 3 | R-PDSO-G3 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 增强型MOSFET | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.2 A | 2.4 Ω | 50 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.25 W |
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