ON Semiconductor 6HP04MH-TL-W

工厂交货时间

14 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

触点镀层

Tin

质量

124.596154mg

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

113 ns

Power Dissipation (Max)

600mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

370mA Ta

已出版

2015

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

18.4 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.2 Ω @ 190mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

24.1pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.84nC @ 10V

上升时间

15.2ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

41 ns

连续放电电流(ID)

370mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.37A

漏源击穿电压

-60V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅