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1000

￥1.562955

ON Semiconductor BC847BPDW1T3G

Name: BC847BPDW1T3G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-BC847BPDW1T3G
Price: 1.97 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BC847BPDW1T3G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-BC847BPDW1T3G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

ON Semi BC847BPDW1T3G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 6-Pin SOT-363

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BC847BPDW1T3G ON Semiconductor ON Semi BC847BPDW1T3G PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 45 V; 6-Pin SOT-363

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BC847BPDW1T3G详情

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ON Semiconductor BC847BPDW1T3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
触点镀层

Tin
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数

6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V
Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV
Number of Elements

2
hFEMin

150
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2002
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

380mW
频率

100MHz
基本部件号

BC847BPD
引脚数量

6
极性

NPN, PNP
元素配置

Dual
功率耗散

380mW
无卤素

无卤素
增益带宽积

100MHz
晶体管类型

NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)

45V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
高度

1mm
长度

2.2mm
宽度

1.35mm
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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技术文档: ON Semiconductor BC847BPDW1T3G.

数据表 :
BC84xxPDW1 Series pid_6268134_bc847bpdw1t3g-on-semiconductor-datasheet-135993868.pdf
PCN 组装/原产地 :
Wafer Source Addition 26/Nov/2014
环境信息 :
Material Declaration BC847BPDW1T3G

BC847BPDW1T3G拓展信息

热销零件