ON Semiconductor BC847BPDXV6T1

生命周期状态

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安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

2

hFEMin

200

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BC847BPD

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

NPN, PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

NPN, PNP

集电极发射器电压(VCEO)

600mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅