BC858B
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ON Semiconductor BC858B

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型号

BC858B

utmel 编号

1807-BC858B

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Transistor PNP BC858B ON SEMI milliampere=200 V=30 SO

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BC858B ON Semiconductor Transistor PNP BC858B ON SEMI milliampere=200 V=30 SO

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BC858B详情

ON Semiconductor BC858B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -55 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Part Package Code

    SOT-23

  • Risk Rank

    1.53

  • Ihs Manufacturer

    DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Number of Elements

    1

  • Manufacturer

    Diotec Semiconductor AG

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer Part Number

    BC858B

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Rohs Code

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 极性/通道类型

    PNP

  • JEDEC-95代码

    TO-236

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.31 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    220

  • 集电极-发射器电压-最大值

    30 V

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