ON Semiconductor BC858BLT1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-30 V

hFEMin

220

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-30 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Base Product Number

BC858

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer Part Number

BC858BLT1

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Rohs Code

无

Reflow Temperature-Max (s)

30

Manufacturer Package Code

CASE 318-08

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Style

小概要

Package Description

CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.01

Part Package Code

SOT-23

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

225 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

额定电流

-100 mA

频率

100 MHz

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

225 mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-45 V

最大集电极电流

-100 mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

集电极基极电压(VCBO)

-50 V

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

最大结点温度（Tj）

150 °C

集电极-发射器电压-最大值

30 V

高度

1.11 mm

达到SVHC

unknown

无铅

含铅