ON Semiconductor BC858BLT1

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 2 years ago)

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-30 V

hFEMin

220

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

-30 V

Manufacturer Lifecycle Status

OBSOLETE (Last Updated: 2 years ago)

RoHS

Compliant

Base Product Number

BC858

Package Description

CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318-08

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC858BLT1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.01

Part Package Code

SOT-23

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

225 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

额定电流

-100 mA

频率

100 MHz

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率耗散

225 mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-45 V

最大集电极电流

-100 mA

JEDEC-95代码

TO-236AB

集电极基极电压(VCBO)

-50 V

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

最大结点温度（Tj）

150 °C

集电极-发射器电压-最大值

30 V

高度

1.11 mm

无铅

含铅