ON Semiconductor BC858CDW1T1

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

hFEMin

420

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

380mW

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

6

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Dual

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

650mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

15nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

转换频率

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅