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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.363156
10
¥1.285999
100
¥1.213206
500
¥1.144533
1000
¥1.079749
ON Semiconductor BC859B
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- 对比
BC859B
1807-BC859B
无类别的
--
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Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-236AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC859B详情
ON Semiconductor BC859B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
-
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tray
Base Product Number
MB89697
厂商
Infineon Technologies
Data Converters
-
Product Status
Discontinued at Digi-Key
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
BC859B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diotec Semiconductor AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Risk Rank
1.55
Part Package Code
SOT-23
操作温度
-
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
振荡器类型
-
速度
-
内存大小
-
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
-
核心处理器
-
周边设备
-
程序存储器类型
-
芯尺寸
-
程序内存大小
-
连接方式
-
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236
EEPROM 大小
-
最大耗散功率(Abs)
0.31 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
220
集电极-发射器电压-最大值
30 V
BC859B拓展信息






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