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技术文档
型号
BC859B
品牌
ON Semiconductor
utmel 编号
1807-BC859B
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin TO-236AB
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BC859B详情
技术参数
ON Semiconductor BC859B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
-
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tray
Base Product Number
MB89697
厂商
Infineon Technologies
Data Converters
Product Status
Discontinued at Digi-Key
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Diotec Semiconductor AG
Number of Elements
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Risk Rank
1.55
Part Package Code
SOT-23
操作温度
系列
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
振荡器类型
速度
内存大小
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
核心处理器
周边设备
程序存储器类型
芯尺寸
程序内存大小
连接方式
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-236
EEPROM 大小
最大耗散功率(Abs)
0.31 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
220
集电极-发射器电压-最大值
30 V
BC859B拓展信息
公司资质
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