ON Semiconductor BFR31

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BFR31

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

RF Bipolar Transistors BFR31/TO-236AB///REEL 11 Q3/T4*STANDARD MARK SMDL

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

7.57

Part Package Code

SOT-23

Drain Current-Max (ID)

0.01 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

反馈上限-最大值 (Crss)

1.5 pF