ON Semiconductor BS108G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

250mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2V 2.8V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Ta

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

逻辑电平兼容

电压 - 额定直流

200V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

250mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ω @ 100mA, 2.8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

250mA

阈值电压

1.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25A

漏极-源极导通最大电阻

8Ohm

漏源击穿电压

200V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅