ON Semiconductor BSS123LT3G

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

40 ns

Power Dissipation (Max)

225mW Ta

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

170mA Ta

已出版

2008

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

170mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 Ω @ 100mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20pF @ 25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

170mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

6Ohm

漏源击穿电压

100V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅