ON Semiconductor BSS84
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BSS84
1807-BSS84
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23
--最小包装量--
BSS84详情
ON Semiconductor BSS84重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
10Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-50V
额定电流
-130mA
电压
50V
元素配置
Single
电流
13A
功率耗散
360mW
接通延迟时间
2.5 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
10Ohm @ 100mA, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
73pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.3nC @ 5V
上升时间
6.3ns
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.3 ns
连续放电电流(ID)
130mA
阈值电压
-1.7V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-50V
双电源电压
-50V
输入电容
73pF
漏源电阻
10Ohm
最大rds
10 Ω
栅源电压
-1.7 V
高度
930μm
长度
2.92mm
宽度
3.05mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS84拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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