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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.107181
500
¥0.07881
1000
¥0.065675
2000
¥0.060252
5000
¥0.05631
10000
¥0.052382
15000
¥0.050659
50000
¥0.049813
ON Semiconductor BZX84C11LT1G
- 收藏
- 对比
BZX84C11LT1G
1807-BZX84C11LT1G
二极管 - 齐纳 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

DIODE ZENER 11V 225MW SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BZX84C11LT1G详情
ON Semiconductor BZX84C11LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
材料
Plastic
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL 认证
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
225mW
电压 - 额定直流
11V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BZX84C11
引脚数量
3
工作电压
11V
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
20Ohm
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
100nA @ 8V
功率耗散
300mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
最大反向漏电电流
100nA
阻抗-最大
20Ohm
无卤素
无卤素
测试电流
5mA
参考电压
11V
正向电压
900mV
齐纳电压
11V
最大电压允差
5.45%
峰值反向电流
100nA
电压允差
5%
齐纳电流
10mA
高度
940μm
长度
2.9mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BZX84C11LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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