ON Semiconductor BZX84C3V9LT1G
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BZX84C3V9LT1G
1807-BZX84C3V9LT1G
二极管 - 齐纳 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODE ZENER 3.9V 225MW SOT23-3
--最小包装量--
BZX84C3V9LT1G详情
ON Semiconductor BZX84C3V9LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
材料
Plastic
Breakdown Voltage / V
4.1V
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2007
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL 认证
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
225mW
电压 - 额定直流
3.9V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BZX84C3V9
引脚数量
3
工作电压
3.9V
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
90Ohm
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
3μA @ 1V
功率耗散
300mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
正向电流
10mA
最大反向漏电电流
3μA
阻抗-最大
90Ohm
无卤素
无卤素
测试电流
5mA
参考电压
3.9V
正向电压
900mV
齐纳电压
3.9V
峰值反向电流
3μA
电压允差
5%
ESD保护
有
齐纳电流
10mA
高度
1.11mm
长度
3.04mm
宽度
1.4mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BZX84C3V9LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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