BZX84C5V6LT1G
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ON Semiconductor BZX84C5V6LT1G

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型号

BZX84C5V6LT1G

utmel 编号

1807-BZX84C5V6LT1G

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE ZENER 5.6V 225MW SOT23-3

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BZX84C5V6LT1G
BZX84C5V6LT1G ON Semiconductor DIODE ZENER 5.6V 225MW SOT23-3

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BZX84C5V6LT1G详情

ON Semiconductor BZX84C5V6LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)

  • 触点镀层

    Tin

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 安装类型

    表面贴装

  • 引脚数

    3

  • 材料

    Plastic

  • Breakdown Voltage / V

    6V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2005

  • 容差

    ±7%

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    UL 认证

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 额定功率

    225mW

  • 电压 - 额定直流

    5.6V

  • 最大功率耗散

    225mW

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    BZX84C5V6

  • 引脚数量

    3

  • 工作电压

    5.6V

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 阻抗

    40Ohm

  • 元素配置

    Single

  • 二极管类型

    泽纳电极

  • 反向泄漏电流@ Vr

    1μA @ 2V

  • 功率耗散

    300mW

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    900mV @ 10mA

  • 最大反向漏电电流

    1μA

  • 阻抗-最大

    40Ohm

  • 测试电流

    5mA

  • 参考电压

    5.6V

  • 正向电压

    900mV

  • 齐纳电压

    5.6V

  • 最大电压允差

    7.14%

  • 峰值反向电流

    1μA

  • 电压允差

    7%

  • ESD保护

  • 齐纳电流

    10mA

  • 宽度

    1.3mm

  • 长度

    2.9mm

  • 高度

    940μm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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