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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.87881
10
¥0.829067
100
¥0.782138
500
¥0.737866
1000
¥0.6961
ON Semiconductor BZX84C5V6LT1G
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- 对比
BZX84C5V6LT1G
1807-BZX84C5V6LT1G
二极管 - 齐纳 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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DIODE ZENER 5.6V 225MW SOT23-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BZX84C5V6LT1G详情
ON Semiconductor BZX84C5V6LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 12 hours ago)
触点镀层
Tin
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
引脚数
3
材料
Plastic
Breakdown Voltage / V
6V
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2005
容差
±7%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL 认证
HTS代码
8541.10.00.50
额定功率
225mW
电压 - 额定直流
5.6V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BZX84C5V6
引脚数量
3
工作电压
5.6V
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
40Ohm
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
1μA @ 2V
功率耗散
300mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
最大反向漏电电流
1μA
阻抗-最大
40Ohm
测试电流
5mA
参考电压
5.6V
正向电压
900mV
齐纳电压
5.6V
最大电压允差
7.14%
峰值反向电流
1μA
电压允差
7%
ESD保护
有
齐纳电流
10mA
宽度
1.3mm
长度
2.9mm
高度
940μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BZX84C5V6LT1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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