ON Semiconductor BZX84C6V2ET3G
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BZX84C6V2ET3G
1807-BZX84C6V2ET3G
二极管 - 齐纳 - 单
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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DIODE ZENER 6.2V 225MW SOT23-3
1最小包装量--
BZX84C6V2ET3G详情
ON Semiconductor BZX84C6V2ET3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
容差
±6%
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL 认证
HTS代码
8541.10.00.50
最大功率耗散
300mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BZX84C6V2
引脚数量
3
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
阻抗
10Ohm
元素配置
Single
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
3μA @ 4V
功率耗散
300mW
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10mA
功率 - 最大
225mW
最大反向漏电电流
3μA
阻抗-最大
10Ohm
测试电流
5mA
参考电压
6.2V
齐纳电压
6.2V
最大电压允差
6.45%
电压允差
6%
ESD保护
有
齐纳电流
10mA
高度
1.1176mm
长度
3.0226mm
宽度
1.397mm
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BZX84C6V2ET3G拓展信息
ON Semiconductor
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