BZX84C9V1
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ON Semiconductor BZX84C9V1

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型号

BZX84C9V1

utmel 编号

1807-BZX84C9V1

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE ZENER 9.1V 350MW SOT23-3

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BZX84C9V1
BZX84C9V1 ON Semiconductor DIODE ZENER 9.1V 350MW SOT23-3

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BZX84C9V1详情

ON Semiconductor BZX84C9V1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 引脚数

    3

  • 供应商器件包装

    SOT-23-3 (TO-236)

  • 质量

    30mg

  • Breakdown Voltage / V

    9.1V

  • 操作温度

    -55°C~150°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2017

  • 容差

    ±6%

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电容量

    130pF

  • 额定功率

    350mW

  • 电压 - 额定直流

    9.1V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 基本部件号

    BZX84C9V1

  • 工作电压

    9.1V

  • 阻抗

    15Ohm

  • 元素配置

    Single

  • 反向泄漏电流@ Vr

    500nA @ 6V

  • 功率耗散

    350mW

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    900mV @ 10mA

  • 功率 - 最大

    350mW

  • 最大反向漏电电流

    500nA

  • 阻抗-最大

    15Ohms

  • 测试电流

    5mA

  • 正向电压

    900mV

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    9.1V

  • 齐纳电压

    9.05V

  • 峰值反向电流

    500nA

  • 电压允差

    5%

  • 齐纳电流

    5mA

  • 高度

    930μm

  • 长度

    2.92mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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BZX84C9V1拓展信息

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MMSZ5240BT1G
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