C122B1
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ON Semiconductor C122B1

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型号

C122B1

utmel 编号

1807-C122B1

商品类别

LED 照明 - 白色

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB

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C122B1
C122B1 ON Semiconductor Silicon Controlled Rectifier, 8A I(T)RMS, 8000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-220AB

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C122B1详情

ON Semiconductor C122B1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    5

  • 终端数量

    3

  • Watchdog Timers

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Leakage Current-Max

    0.5 mA

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Manufacturer Package Code

    CASE 221A-07

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    100 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    C122B1

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    7.59

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Multi-Voltage Supervisor

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • HTS代码

    8541.30.00.80

  • 子类别

    可控硅

  • 最大功率耗散

    247 mW

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 最大电源电压

    5.5 V

  • 最小电源电压

    1 V

  • 工作电源电流

    10 µA

  • 箱体转运

    ANODE

  • 重置

    低电平有效

  • 监测的电压数量

    3

  • 重置超时

    150 ms

  • 阈值电压

    1.665 V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 低电压阈值

    1.08 V

  • 过压阈值

    1.14 V

  • 保持电流

    60 mA

  • 触发装置类型

    SCR

  • On-state Current-Max

    8000 A

  • 重复峰值关态电压

    200 V

  • 非重复Pk在态电流

    90 A

  • 重复峰值反向电压

    200 V

  • 均方根通态电流-最大值

    8 A

  • 保持电流-最大

    30 mA

  • 直流栅极触发电流(最大)

    25 mA

  • 直流栅极触发电压(最大)

    1.5 V

  • 电路转换断开时间

    50 µs

  • 辐射硬化

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor C122B1.

C122B1拓展信息

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