ON Semiconductor CAT24C08WE-G

表面安装

YES

终端数量

8

RoHS

Non-Compliant

Package Description

SOIC-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOP8,.25

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CAT24C08WE-G

Clock Frequency-Max (fCLK)

0.4 MHz

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.49

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

端子表面处理

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

子类别

EEPROMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

2/5 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

1.8 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.002 mA

组织结构

8KX1

座位高度-最大

1.75 mm

内存宽度

1

待机电流-最大值

0.000002 A

记忆密度

8192 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

I2C

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

100

写入保护

HARDWARE

I2C控制字节

1010DMMR

宽度

3.9 mm

长度

4.9 mm