ON Semiconductor CAT24C21WI-T3

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

供应商器件包装

8-SOIC

终端数量

8

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

CAT24C21

厂商

onsemi

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

Package Description

0.150 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

128

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

SOP8,.25

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CAT24C21WI-T3

Clock Frequency-Max (fCLK)

0.4 MHz

Number of Words

128 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

SOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

安森美半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.12

Part Package Code

SOIC

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

EEPROM

电压 - 供电

2.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

3/5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

内存大小

1Kbit

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

400 kHz

电源电流-最大值

0.002 mA

访问时间

1 µs

内存格式

EEPROM

内存接口

I²C

组织结构

128X8

座位高度-最大

1.75 mm

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

5ms

待机电流-最大值

0.000001 A

记忆密度

1024 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

I2C

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

100

I2C控制字节

1010XXXR

组织的记忆

128 x 8

宽度

3.9 mm

长度

4.9 mm