ON Semiconductor CAT24WC65P

表面安装

NO

终端数量

8

Package Description

DIP, DIP8,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

8000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP8,.3

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CAT24WC65P

Clock Frequency-Max (fCLK)

0.1 MHz

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Catalyst Semiconductor

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CATALYST SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.86

Part Package Code

DIP

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

1000000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 100 YEARS DATA RETENTION; SELF TIMED WRITE

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDIP-T8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

6 V

电源

3/5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.003 mA

组织结构

8KX8

座位高度-最大

4.57 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.000001 A

记忆密度

65536 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

I2C

耐力

1000000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

10 ms

数据保持时间

100

写入保护

HARDWARE

I2C控制字节

1010DDDR

宽度

7.62 mm

长度

9.35 mm