ON Semiconductor CAT28F001P-12B

表面安装

NO

终端数量

32

Package Description

DIP, DIP32,.6

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

120 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CAT28F001P-12B

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Catalyst Semiconductor

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

CATALYST SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.25

Part Package Code

DIP

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

NOR型号

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

100000 PROGRAM/ERASE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

闪存

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.03 mA

组织结构

128KX8

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.000001 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

FLASH

编程电压

12 V

耐力

100000 Write/Erase Cycles

数据保持时间

10

数据轮询

NO

拨动位

NO

命令用户界面

YES

扇区/尺寸数

1,2,1

行业规模

8K,4K,112K

引导模块

BOTTOM

宽度

15.24 mm

长度

42.03 mm