CAT93C46BVI-G
CAT93C46BVI-G

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ON Semiconductor CAT93C46BVI-G

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型号

CAT93C46BVI-G

utmel 编号

1807-CAT93C46BVI-G

商品类别

存储器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Serial EEPROM Memory, 1 Kb Microwire, SOIC 8, 150 mils, 100-TUBE

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CAT93C46BVI-G
CAT93C46BVI-G ON Semiconductor Serial EEPROM Memory, 1 Kb Microwire, SOIC 8, 150 mils, 100-TUBE

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CAT93C46BVI-G详情

ON Semiconductor CAT93C46BVI-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    1 Week

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    8-SOIC

  • 终端数量

    8

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    onsemi

  • Product Status

    最后一次购买

  • Base Product Number

    CAT93C46B

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Package Description

    SOP, SOP8,.25

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    SOP8,.25

  • Manufacturer Package Code

    751BD

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    CAT93C46BVI-G

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    4000 MHz

  • Number of Words

    128 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    5 V

  • Package Code

    SOP

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    安森美半导体

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ON SEMICONDUCTOR

  • Risk Rank

    5.74

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 技术

    EEPROM

  • 电压 - 供电

    1.8V ~ 5.5V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • Brand Name

    安森美半导体

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.65 V

  • 内存大小

    1Kbit

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    4 MHz

  • 电源电流-最大值

    0.001 mA

  • 访问时间

    250 ns

  • 内存格式

    EEPROM

  • 内存接口

    Microwire

  • 组织结构

    128X8

  • 座位高度-最大

    1.75 mm

  • 内存宽度

    8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    5ms

  • 待机电流-最大值

    0.000002 A

  • 记忆密度

    1024 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    EEPROM

  • 串行总线类型

    MICROWIRE

  • 耐力

    1000000 Write/Erase Cycles

  • 写入周期时间 - 最大值

    3 ms

  • 写入保护

    SOFTWARE

  • 数据轮询

    YES

  • 拨动位

    NO

  • 命令用户界面

    NO

  • 准备就绪/忙碌

    YES

  • 反向引脚排列

    NO

  • 组织的记忆

    128 x 8, 64 x 16

  • 宽度

    3.9 mm

  • 长度

    4.9 mm

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技术文档: ON Semiconductor CAT93C46BVI-G.

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