ON Semiconductor CNY17-1/-2/-3
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CNY17-1/-2/-3
1807-CNY17-1/-2/-3
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CNY17-1/-2/-3详情
ON Semiconductor CNY17-1/-2/-3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
hFEMin
100
Collector-Emitter Saturation Voltage
-400 mV
Breakdown Voltage / V
51 V
Reverse Stand-off Voltage
24 V
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
RoHS
Compliant
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-40 °C
输出的数量
1
输出电压
5 V
输出类型
固定式
通道数量
2
最大电源电压
26 V
最小电源电压
3 V
电源电流
25 nA
功率耗散
150 mW
输出电流
500 mA
静态电流
2.5 mA
回应时间
1.3 µs
最大反向漏电电流
1 µA
最小输入电压
-18 V
箝位电压
70.1 V
峰值脉冲电流
21.4 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
最大输入电压
26 V
测试电流
2.5 mA
参考电压
2.5 V
增益带宽积
1 MHz
漏源电压 (Vdss)
-60 V
正向电压
1 V
压差电压
600 mV
齐纳电压
75 V
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
反向恢复时间
50 ns
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
栅极至源极电压(Vgs)
-1.5 V
输入电容
436 pF
最大击穿电压
9.8 V
输入偏置电流
200 µA
集电极基极电压(VCBO)
-40 V
发射极基极电压 (VEBO)
40 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
2.5 A
最大结点温度(Tj)
150 °C
连续集电极电流
-200 mA
最小击穿电压
25.4 V
CNY17-1/-2/-3拓展信息







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